Die SiC-(Siliziumkarbid-)  Metall-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistoren beziehungsweise Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) bieten gegenüber Siliziumalternativen eine höhere Sperrspannung bei geringerem Einschaltwiderstand und höherer Wärmeleitfähigkeit. Sie können verwendet werden für Mittelspannungs-Leistungswandlungsanwendungen wie Traktion, gepulste Leistung und Smart-Grid-Infrastruktur eingesetzt werden.

Die GeneSic -6,5k-Bare-Die-SiC-MOSFETs tragen die Bezeichnungen G2R300MT65-CAL und G2R325MS65-CAL, wobei vollständige SiC-Module mit dieser Technologie in Kürze auf den Markt kommen sollen, teilte das Unternehmen Electronics Weeklymit.

„Dieses Bauteil kann in einer Vielzahl von Leistungswandlungsschaltungen eingesetzt werden. Weitere Vorteile sind eine effizientere bidirektionale Leistung, temperaturunabhängiges Schalten, geringe Schalt- und Durchlassverluste, reduzierter Kühlbedarf, hervorragende Langzeitzuverlässigkeit, einfache Parallelschaltung der Bauteile und Kostenvorteile“, erklärte Electronics Weekly.

Die Bauteile von GeneSiC verfügen über eine SiC-Doppelimplantations-Metalloxid-Halbleiterstruktur (DMOSFET) mit einem in die SiC-DMOSFET-Einheitszelle integrierten Junction-Barrier-Schottky-(JBS-)Gleichrichter. Zu den erwarteten Anwendungen zählen Traktion, gepulste Leistung, Smart-Grid-Infrastruktur und weitere Mittelspannungs-Leistungswandler.

Die Bauteile sind:

G2R300MT65-CAL – 6,5-kV-300-mΩ-G2RTM-SiC-MOSFET, Bare-Chip

G2R325MS65-CAL – 6,5-kV-325-mΩ-G2RTM-SiC-MOSFET (mit integriertem Schottky), Bare-Chip

G2R100MT65-CAL – 6,5-kV-100-mΩ-G2RTM-SiC-MOSFET, Bare-Chip