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Samsung Semiconductor

IRF820

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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Nicht RoHS-konform
Eingestellt
Tube Verpackung
Konformitätsbescheinigung
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Suchbegriffe: IRF820
Spezifizierung +
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  • Lieferant:
    Samsung Semiconductor
  • Artikelnummer:
    IRF820
  • Maßeinheit:
    Pro Stück
  • RoHS:
    Nein
  • ECCN:
    EAR99
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    50
  • Maximaler Drain-Source-Widerstand:
    3000@10V mOhm
  • Kanalmodus:
    Enhancement
  • Abmessung:
    10.1(Max) x 4.7(Max) x 9.4(Max) mm
  • Maximaler kontinuierlicher Drainstrom:
    2.5 A
  • Familie:
    IRF820
  • Kanaltyp:
    N
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