- Startseite ›
- Alle Produkte›
- Diskrete Halbleiter ›
- Transistoren ›
- IGBT-Modul ›
- NXH100B120H3Q0SG
onsemi
NXH100B120H3Q0SG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins
Datenblatt anzeigen Datenblatt fragen Zubehör Benachrichtigen
-
ProduktattributAttributwert Attribut auswählen
-
Lieferant:onsemi
-
Artikelnummer:NXH100B120H3Q0SG
-
Maßeinheit:Pro Stück
-
RoHS:Ja
-
HTS:8541290095
-
COO:CZ
-
ECCN:EAR99
-
Standardverpackung des Lieferanten:
24