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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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Nicht RoHS-konform
Konformitätsbescheinigung
Beschreibung
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The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
Suchbegriffe: MJD1121G
Spezifizierung
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ProduktattributAttributwert Attribut auswählen
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Lieferant:onsemi
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Artikelnummer:MJD112-1G
-
Maßeinheit:Pro Stück
-
RoHS:Nein
-
HTS:8541290095
-
COO:MY
-
ECCN:EAR99
-
Standardverpackung des Lieferanten:
75 -
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung:100 V
-
Maximale Kollektor-Basis-Spannung:100 V
-
Maximale Basis-Emitter-Sättigungsspannung:4@40mA@4A V
-
Familie:MJD112
-
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:2@8mA@2A,3@40mA@4A V
-
Abmessung:6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
Ressourcen
+
Häufig gestellte Fragen
Ist MJD112-1G RoHS-konform?
Nein, MJD112-1G ist nicht RoHS-konform.
Wie lang ist die Lieferzeit für MJD112-1G?
Die Standardlieferzeit für MJD112-1G beträgt ungefähr 29 Wochen. Lagerbestände werden von OnlineComponents.com versendet.
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