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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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| Produktattribut | Attributwert Attribut auswählen |
|---|---|
| Lieferant: | onsemi |
| Artikelnummer: | MJD112-1G |
| Maßeinheit: | Pro Stück |
| RoHS: | Nein |
| HTS: | 8541290095 |
| COO: | MY |
| ECCN: | EAR99 |
Standardverpackung des Lieferanten:
|
75 |
| Abmessung: | 6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm |
| Familie: | MJD112 |
| Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V |
| Maximale Basis-Emitter-Sättigungsspannung: | 4@40mA@4A V |
| Maximale Kollektor-Basis-Spannung: | 100 V |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: | 2@8mA@2A,3@40mA@4A V |