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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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Lieferant:onsemi
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Artikelnummer:MJD112-1G
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Maßeinheit:Pro Stück
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RoHS:Nein
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HTS:8541290095
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COO:MY
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ECCN:EAR99
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Standardverpackung des Lieferanten:
75 -
Abmessung:6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
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Familie:MJD112
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Maximale Kollektor-Emitter-Spannung:100 V
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Maximale Basis-Emitter-Sättigungsspannung:4@40mA@4A V
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Maximale Kollektor-Basis-Spannung:100 V
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Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:2@8mA@2A,3@40mA@4A V