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APT40GR120B2D30
Microchip Technology
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 88A 500000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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RoHS-konform
Eingestellt
TUBE Verpackung
Beschreibung
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 88A 500000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Search Keywords: APT40GR120B2D30
Spezifizierung
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ProduktattributAttributwert Attribut auswählen
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Lieferant:Microchip Technology
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Artikelnummer:APT40GR120B2D30
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Maßeinheit:Pro Each
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RoHS (Beschränkung gefährlicher Stoffe):Yes
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HTS:8541290095
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COO:PH
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ECCN:EAR99
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Standardmenge:
1 -
Maximale Gate-Emitter-Spannung:±30 V
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Konfiguration:Single6975
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Maximaler Kollektor-Dauerstrom:88 A
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Maximaler Gate-Emitter-Leckstrom:0.25 uA
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Maximale Verlustleistung:500000 mW
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Abmessung:16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
-
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung:1200 V
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Familie:APT40GR120B2D30
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Kanaltyp:N6974
Werkzeuge/3D-Modelle
+
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EE-WERKZEUGKASTEN
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