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- HGT1S12N60A4DS
Fairchild
HGT1S12N60A4DS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
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- >100kHz Operation............390V, 12A
- 200kHz Operation............390V, 9A
- 600V Switching SOA Capability
- Typical Fall Time............70ns at TJ = 125°C
- Low Conduction Loss
- Temperature Compensating SABER Model www.fairchildsemi.com
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Lieferant:Fairchild
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Artikelnummer:HGT1S12N60A4DS
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Maßeinheit:Pro Stück
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RoHS:Ja
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HTS:8541290095
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ECCN:EAR99
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Standardverpackung des Lieferanten:
400 -
Konfiguration:Single
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Maximale Kollektor-Emitter-Spannung:600 V
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Maximaler Kollektor-Dauerstrom:54 A
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Abmessung:10.67(Max) x 9.65(Max) x 4.83(Max) mm
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Familie:HGT1S12N60A4DS
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Maximale Gate-Emitter-Spannung:±20 V
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Kanaltyp:N
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