GeneSiC的SiC（碳化硅）  金属氧化物硅场效应晶体管，即金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），与硅基替代产品相比，具有更高的阻断电压、更低的导通电阻和更高的热导率。它们可用于 牵引、脉冲功率和智能电网基础设施等中压电力转换应用。

 

这些 GeneSiC 6.5k裸芯片SiC MOSFET 的型号为G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL；采用该技术的全SiC模块也将很快发布，该公司向 《Electronics Weekly》透露。

“该器件可用于多种电力转换电路。其他优势包括效率更高的双向性能、不受温度影响的开关特性、较低的开关损耗和导通损耗、较低的散热要求、出色的长期可靠性、易于并联器件以及成本优势，”《Electronics Weekly》解释道。

 

GeneSiC的器件采用SiC双注入金属氧化物半导体场效应晶体管（DMOSFET）器件结构，并在SiC DMOSFET单元中集成了结势垒肖特基（JBS）整流器。预计应用包括牵引、脉冲功率、智能电网基础设施和其他中压电力转换器。

 

 

这些器件包括：

G2R300MT65-CAL – 6.5kV 300mΩ G2R™ SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV 325mΩ G2R™ SiC MOSFET（集成肖特基）裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV 100mΩ G2R™ SiC MOSFET裸芯片