Microchip Technology的面向空间系统的耐辐射COTS(商用现货)产品系列新增了一款64兆位并行SuperFlash存储器, 该公司称。

该存储器可与Microchip的COTS处理器搭配使用,其通信接口有助于简化空间级系统的开发流程。

“为了降低开发航天级系统的时间、成本和风险,设计人员可以先采用商用现货(COTS)器件,之后再替换为具有相同引脚分布、可采用塑料或陶瓷封装的空间级耐辐射等效器件。  Microchip Technology Inc.今日宣布推出一款耐辐射64兆位(Mbit)并行接口SuperFlash存储器件,该器件具有无与伦比的总电离剂量(TID)耐受能力,可在恶劣的太空辐射环境中提供最高的可靠性和稳健性。它是Microchip的太空适用型 微控制器 (MCU)、微处理器(MPU)和现场可编程门 阵列 (FPGA)的理想搭档,这些产品构成了这一可扩展开发模式的基石,”Globe Write指出。   

Microchip航空航天与国防事业部副总裁鲍勃·万波拉指出，SST38LF6401RT SuperFlash器件将强化公司开发完整太空系统解决方案的可扩展方法；这些解决方案采用耐辐射或抗辐射微处理器和FPGA。他补充说：“在需要配套Flash存储器来保存驱动完整系统的关键软件代码或比特流时，该器件为实现最高可靠性的数字处理提供了这些太空系统所需的重要保护。”

SST38LF6401RT器件在Flash仍处于偏置和运行状态时,可承受高达50千拉德(krad)的TID耐辐射能力,从而使系统能够在各种不允许出现代码执行中断(否则可能导致严重故障和系统丧失)的太空应用中运行。

这使得 SuperFlash存储器 成为Microchip基于Arm® Cortex®-M7的SAMRH71抗辐射SoC处理器的理想搭档,同时也可与公司的RT PolarFire® FPGA配合使用,以支持飞行中系统重新配置。该器件与工业版本具有相同的引脚分布,便于在印刷电路板(PCB)层面轻松过渡到空间级塑料或陶瓷封装版本。SST38LF6401RT的工作电压范围为3.0至3.6伏(V)。

开发工具与供货情况

SST38LF6401RT SuperFlash器件目前已推出陶瓷封装版本样品,并配有评估板和演示软件,可应要求提供。此外,还可应要求提供将SuperFlash器件与FPGA及SAMRH71处理器结合使用并配备相应软件的FPGA飞行编程参考方案。

Microchip的COTS转耐辐射工艺流程

Microchip从其成熟的汽车级或工业级产品系列中挑选相关器件,并对硅工艺加以改进,从而增强其防护能力,使其在重离子环境中更能抵御单粒子闩锁效应。经过轻微改进的器件的辐射性能均经过全面表征,并针对每个功能模块提供专门的辐射报告。这些器件广泛应用于从运载火箭、卫星星座到空间站的各类场景。设计人员可以先采用易于采购的COTS器件开始系统实施,之后再将其替换为引脚兼容、高可靠性塑料或陶瓷封装的空间级等效器件。