GeneSiC 推出了3300V和1700V 1000mΩ的SiC MOSFET，“可增强并简化储能、可再生能源、工业电机、通用逆变器和工业照明领域的电源系统，” Electronics Weekly报道称。

GeneSiC Semiconductor 表示，G2R1000MT17J、G2R1000MT17D和G2R1000MT33J现已即时供货——提供1000mΩ和450mΩ两种规格，采用SMD和通孔分立封装。

已发布的产品包括： 

• G2R1000MT33J – 3300V 1000mΩ TO-263-7 G2R™ SiC MOSFET 

• G2R1000MT17D – 1700V 1000mΩ TO-247-3 G2R™ SiC MOSFET 

• G2R1000MT17J – 1700V 1000mΩ TO-263-7 G2R™ SiC MOSFET 

• G3R450MT17J – 1700V 450mΩ TO-263-7 G3R™ SiC MOSFET 

• G3R450MT17D– 1700V 450mΩ TO-247-3 G3R™ SiC MOSFET。

GeneSiC的3300V和1700V SiC MOSFET针对需要更高效率水平和超快开关速度的电源系统设计进行了优化。