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描述
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The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
搜索关键词: MJD1121G
规格
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产品属性属性值 选择属性
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供应商:onsemi
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部件编号:MJD112-1G
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计量单位:每 件
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RoHS:否
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HTS:8541290095
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COO:MY
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ECCN:EAR99
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供应商标准包装:
75 -
尺寸:6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
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系列:MJD112
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最大集电极发射极电压:100 V
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最大基极-发射极饱和电压:4@40mA@4A V
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最大集电极基极电压:100 V
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最大集电极-发射极饱和电压:2@8mA@2A,3@40mA@4A V
工具/3D模型
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電子工程工具箱
产品指南
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数据表
常见问题
MJD112-1G 是否符合 RoHS 标准？
不，MJD112-1G 不符合 RoHS 标准。
MJD112-1G 的交货期是多少？
MJD112-1G 的标准交货期约为 30 周。有库存的数量由 OnlineComponents.com 发货。