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MJD112-1G

The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.

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不符合 RoHS 规定
包装
合规证书
描述 +
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
搜索关键词: MJD1121G
规格 +
  • 产品属性
    属性值 选择属性
  • 供应商:
    onsemi
  • 部件编号:
    MJD112-1G
  • 计量单位:
    每 件
  • RoHS:
  • HTS:
    8541290095
  • COO:
    MY
  • ECCN:
    EAR99
  • 供应商标准包装: 此信息提供给偏好按制造商标准包装数量的倍数购买的客户。最小订购数量和要求的订购倍数会与我们的价格和库存信息一起显示。
    75
  • 最大集电极发射极电压:
    100 V
  • 最大集电极基极电压:
    100 V
  • 最大基极-发射极饱和电压:
    4@40mA@4A V
  • 系列:
    MJD112
  • 最大集电极-发射极饱和电压:
    2@8mA@2A,3@40mA@4A V
  • 尺寸:
    6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
符号、封装和 3D 模型
工具/3D模型 +
产品指南 +
常见问题
MJD112-1G 是否符合 RoHS 标准?
不,MJD112-1G 不符合 RoHS 标准。
MJD112-1G 的交货期是多少?
MJD112-1G 的标准交货期约为 29 周。有库存的数量由 OnlineComponents.com 发货。
价格匹配保证
We’ll meet or beat any authorized competitor’s published price for this part.
有存货: 42,150
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最小订购数量:
75
多个:
75
29 周 可以发货 4/7/27
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单价
75
$1.0117
300
$0.6615
1,050
$0.5178
2,550
$0.4701
5,025
$0.4653
7,500
$0.4545
10,050
$0.4437
15,000 +
$0.4426
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