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描述
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The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
搜索关键词: MJD1121G
规格
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| 产品属性 | 属性值 选择属性 |
|---|---|
| 供应商: | onsemi |
| 部件编号: | MJD112-1G |
| 计量单位: | 每 件 |
| RoHS: | 否 |
| HTS: | 8541290095 |
| COO: | MY |
| ECCN: | EAR99 |
供应商标准包装: 
|
75 |
| 尺寸: | 6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm |
| 系列: | MJD112 |
| 最大集电极发射极电压: | 100 V |
| 最大基极-发射极饱和电压: | 4@40mA@4A V |
| 最大集电极基极电压: | 100 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压: | 2@8mA@2A,3@40mA@4A V |
工具/3D模型
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電子工程工具箱
产品指南
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数据表
常见问题
MJD112-1G 是否符合 RoHS 标准？
不，MJD112-1G 不符合 RoHS 标准。
MJD112-1G 的交货期是多少？
MJD112-1G 的标准交货期约为 30 周。有库存的数量由 OnlineComponents.com 发货。