- Ana Sayfa ›
- Tüm Ürünler›
- Ayrık Yarı İletkenler ›
- Transistörler ›
- Darlington ›
- MJD112-1G
onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
Veri sayfasını görüntüle Veri sayfasına sor Aksesuarlar Bana Bildir
| Ürün Özelliği | Özellik Değeri Özellik Seç |
|---|---|
| satıcı: | onsemi |
| Parça Numarası: | MJD112-1G |
| Ölçü Birimi: | Başına adet |
| RoHS : | Hayır |
| HTS: | 8541290095 |
| COO: | MY |
| ECCN: | EAR99 |
Tedarikçinin standart ambalajı:
|
75 |
| Boyut: | 6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm |
| Aile: | MJD112 |
| Maksimum Kolektör-Emiter Voltajı: | 100 V |
| Maksimum Baz-Emiter Doyma Gerilimi: | 4@40mA@4A V |
| Maksimum Kolektör-Baz Voltajı: | 100 V |
| Maksimum Kolektör Emiter Doyma Voltajı: | 2@8mA@2A,3@40mA@4A V |