- Ana Sayfa ›
- Tüm Ürünler›
- Ayrık Yarı İletkenler ›
- Transistörler ›
- Darlington ›
- MJD112-1G
onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
Veri sayfasını görüntüle Veri sayfasına sor Aksesuarlar Bana Bildir
-
Ürün ÖzelliğiÖzellik Değeri Özellik Seç
-
satıcı:onsemi
-
Parça Numarası:MJD112-1G
-
Ölçü Birimi:Başına adet
-
RoHS :Hayır
-
HTS:8541290095
-
COO:MY
-
ECCN:EAR99
-
Tedarikçi Standart Paketi:
75 -
Boyut:6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
-
Aile:MJD112
-
Maksimum Kolektör-Emiter Voltajı:100 V
-
Maksimum Baz-Emiter Doyma Gerilimi:4@40mA@4A V
-
Maksimum Kolektör-Baz Voltajı:100 V
-
Maksimum Kolektör Emiter Doyma Voltajı:2@8mA@2A,3@40mA@4A V