SiC (карбид кремния)  Полевые транзисторы со структурой металл-оксид-кремний или металл-оксид-полупроводник (MOSFET) обеспечивают более высокое напряжение блокировки при меньшем сопротивлении во включенном состоянии и более высокой теплопроводности по сравнению с кремниевыми аналогами. Их можно использовать для приложений преобразования энергии среднего напряжения, таких как тяговые системы, импульсная энергетика и инфраструктура интеллектуальных сетей.

Кристаллы (bare die) SiC MOSFET GeneSic на 6,5 кВ обозначаются как G2R300MT65-CAL и G2R325MS65-CAL, при этом полноценные модули SiC на основе этой технологии будут выпущены в ближайшее время, сообщила компания изданию Electronics Weekly.

«Это устройство можно использовать в различных схемах преобразования энергии. К другим преимуществам относятся более эффективная двунаправленная работа, независимая от температуры коммутация, низкие коммутационные и проводящие потери, сниженные требования к охлаждению, превосходная долгосрочная надёжность, простота параллельного соединения устройств и экономическая выгода», — пояснило издание Electronics Weekly.

Устройства GeneSiC имеют структуру SiC МОП-транзистора с двойной имплантацией (DMOSFET), в ячейку которого интегрирован выпрямитель Шоттки с барьером перехода (JBS). Ожидается, что областями применения станут тяговые системы, импульсная энергетика, инфраструктура интеллектуальных сетей и другие преобразователи энергии среднего напряжения.

Устройства:

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2RTM SiC MOSFET, бескорпусный кристалл

G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2RTM SiC MOSFET со встроенным диодом Шоттки, бескорпусный кристалл

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2RTM SiC MOSFET, бескорпусный кристалл