- Главная страница ›
- Все товары›
- Дискретные полупроводники ›
- Транзисторы ›
- Биполярный переход ›
- 2N6517
Samsung Semiconductor
2N6517
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92
Просмотреть технический паспорт Спросить технический паспорт АКСЕССУАРЫ Уведомить меня
| Атрибут товара | Значение атрибута Выбрать атрибут |
|---|---|
| поставщик: | Samsung Semiconductor |
| Артикул / №: | 2N6517 |
| Единица измерения: | За штука |
| RoHS: | Нет |
| HTS: | 8541210075 |
| ECCN: | EAR99 |
Стандартная упаковка поставщика:
|
1000 |
| Размер: | 5.2(Max) x 4.19(Max) x 5.33(Max) mm |
| Серия: | 2N6517 |
| Максимальное напряжение коллектор-база: | 350 V |
-
Этот продукт снят с производства, но все еще есть на складе.