- Главная страница ›
- Все товары›
- Дискретные полупроводники ›
- Транзисторы ›
- Модули MOSFET ›
- NXH007F120M3F2PTHG
onsemi
NXH007F120M3F2PTHG
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 7 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbid ...
АКСЕССУАРЫ Уведомить меня
Соответствует RoHS
Сертификат соответствия
Описание
+
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 7 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module ? EliteSiC, 7 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
Ключевые слова для поиска: NXH007F120M3F2PTHG
спецификация
+
-
Атрибут товараЗначение атрибута Выбрать атрибут
-
поставщик:onsemi
-
Артикул / №:NXH007F120M3F2PTHG
-
Единица измерения:За штука
-
RoHS:да
-
HTS:8542390070
-
COO:KR
-
ECCN:EAR99
-
Стандартная упаковка поставщика:
20
Часто задаваемые вопросы
Соответствует ли NXH007F120M3F2PTHG требованиям RoHS?
Да, NXH007F120M3F2PTHG соответствует требованиям RoHS.
Каков срок поставки NXH007F120M3F2PTHG?
Стандартный срок поставки NXH007F120M3F2PTHG составляет примерно 20 недель. Товары в наличии отправляются компанией OnlineComponents.com.
Гарантия соответствия цены
We’ll meet or beat any authorized competitor’s published price for this part.
на складе: 0
Запас производителя:
200
Можно отправить
Кол-во MOQ, не имеющихся в наличии:
5
20 Недель
Можно отправить
27/1/27
Цена (USD)
КОЛ-ВО
Цена за единицу
5
$304.42
10
$187.34
15
$148.31
20 +
$145.34
Нажмите, чтобы запросить цену
Войти
чтобы разблокировать специальные цены