- Главная страница ›
- All Products›
- Discrete Semiconductors ›
- Transistors ›
- Darlington ›
- MJD127T4G
MJD127T4G
onsemi
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Технический паспорт АКСЕССУАРЫ Notify Me
Не соблюдается
Certificate of Compliance Guarantee
Описание
+
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Search Keywords: MJD127T4G
спецификация
+
-
Product AttributeAttribute Value Select Attribute
-
поставщик:onsemi
-
Артикул / №:MJD127T4G
-
Единица измерения:Per Each
-
RoHS:No
-
HTS:8541290095
-
COO:MY
-
ECCN:EAR99
-
Supplier Standard Pack:
2500 -
Maximum Collector Emitter Voltage:100 V
-
Maximum Collector Base Voltage:100 V
-
Family:MJD127
-
Maximum Base Emitter Saturation Voltage:4.5@80mA@8A V
-
Dimension:6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm
-
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:2@16mA@4A,4@80mA@8A V
ресурсы
+
Price Match Guarantee
We’ll meet or beat any authorized competitor’s published price for this part.
на складе:
4,000
Ships today, if you order in
На заказ:
2 500
Можно отправить 16/9/26
Minimum Order Quantity:
100
29 Weeks
Можно отправить
3/12/26
PRICE (USD)
КОЛ-ВО
Unit Price
100
$0.3025
500
$0.2777
1 000
$0.2770
2 500
$0.2632
5 000
$0.2566
7 500
$0.2559
10 000
$0.2553
15 000 +
$0.2502
Click for Quote
Авторизоваться
чтобы разблокировать специальные цены
CUSTOMERS
ALSO BOUGHT