- Главная страница ›
- Все товары›
- Дискретные полупроводники ›
- Транзисторы ›
- Модуль IGBT ›
- NXH100B120H3Q0PG
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins
Просмотреть технический паспорт Спросить технический паспорт АКСЕССУАРЫ Уведомить меня
-
Атрибут товараЗначение атрибута Выбрать атрибут
-
поставщик:onsemi
-
Артикул / №:NXH100B120H3Q0PG
-
Единица измерения:За штука
-
RoHS:да
-
HTS:8541290095
-
COO:CZ
-
ECCN:EAR99
-
Стандартная упаковка поставщика:
24