- Главная страница ›
- Все товары›
- Дискретные полупроводники ›
- Транзисторы ›
- Модуль IGBT ›
- NXH100B120H3Q0PG
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins
Просмотреть технический паспорт АКСЕССУАРЫ Уведомить меня
Соответствует RoHS
Сертификат соответствия
Описание
+
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins
Ключевые слова для поиска: NXH100B120H3Q0PG
спецификация
+
-
Атрибут товараЗначение атрибута Выбрать атрибут
-
поставщик:onsemi
-
Артикул / №:NXH100B120H3Q0PG
-
Единица измерения:За штука
-
RoHS:да
-
HTS:8541290095
-
COO:CZ
-
ECCN:EAR99
-
Стандартная упаковка поставщика:
24
ресурсы
+
Часто задаваемые вопросы
Соответствует ли NXH100B120H3Q0PG требованиям RoHS?
Да, NXH100B120H3Q0PG соответствует требованиям RoHS.
Каков срок поставки NXH100B120H3Q0PG?
Стандартный срок поставки NXH100B120H3Q0PG составляет примерно 21 недель. Товары в наличии отправляются компанией OnlineComponents.com.
Гарантия соответствия цены
We’ll meet or beat any authorized competitor’s published price for this part.
на складе: 0
Запас производителя:
24
Можно отправить
Кол-во MOQ, не имеющихся в наличии:
6
21 Недель
Можно отправить
1/2/27
Цена (USD)
КОЛ-ВО
Цена за единицу
6
$81.98
12
$61.48
18
$57.38
24 +
$56.24
Нажмите, чтобы запросить цену
Войти
чтобы разблокировать специальные цены