- Главная страница ›
- Все товары›
- Дискретные полупроводники ›
- Транзисторы ›
- Модули MOSFET ›
- NXH008P120M3F1PTG
onsemi
NXH008P120M3F1PTG
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Silicon Carbid ...
АКСЕССУАРЫ Уведомить меня
Соответствует RoHS
Сертификат соответствия
Описание
+
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Silicon Carbide (SiC) Module ? EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Ключевые слова для поиска: NXH008P120M3F1PTG
спецификация
+
-
Атрибут товараЗначение атрибута Выбрать атрибут
-
поставщик:onsemi
-
Артикул / №:NXH008P120M3F1PTG
-
Единица измерения:За штука
-
RoHS:да
-
HTS:8542390070
-
COO:KR
-
ECCN:EAR99
-
Стандартная упаковка поставщика:
28
Часто задаваемые вопросы
Соответствует ли NXH008P120M3F1PTG требованиям RoHS?
Да, NXH008P120M3F1PTG соответствует требованиям RoHS.
Каков срок поставки NXH008P120M3F1PTG?
Стандартный срок поставки NXH008P120M3F1PTG составляет примерно 19 недель. Товары в наличии отправляются компанией OnlineComponents.com.
Гарантия соответствия цены
We’ll meet or beat any authorized competitor’s published price for this part.
на складе: 0
Запас производителя:
16 072
Можно отправить
Кол-во MOQ, не имеющихся в наличии:
7
19 Недель
Можно отправить
3/2/27
Цена (USD)
КОЛ-ВО
Цена за единицу
7
$169.97
14
$104.59
21
$82.80
28 +
$81.15
Нажмите, чтобы запросить цену
Войти
чтобы разблокировать специальные цены