- Главная страница ›
- Все товары›
- Дискретные полупроводники ›
- Транзисторы ›
- Кристалл IGBT ›
- APT50GN60BDQ3G
Microchip Technology
APT50GN60BDQ3G
The APT50GN60BDQ3G is a 600V Field Stop Trench Gate IGBT designed for low-frequency applications requiring minimal conduction ...
Просмотреть технический паспорт Спросить технический паспорт АКСЕССУАРЫ Уведомить меня
-
Атрибут товараЗначение атрибута Выбрать атрибут
-
поставщик:Microchip Technology
-
Артикул / №:APT50GN60BDQ3G
-
Единица измерения:За штука
-
RoHS:да
-
HTS:8541290095
-
ECCN:EAR99
-
Стандартная упаковка поставщика:
1 -
Максимальная рассеиваемая мощность:366000 mW
-
Максимальный постоянный ток коллектора:107 A
-
Размер:16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
-
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:±30 V
-
Серия:APT50GN60BDQ3
-
Тип канала:N6974
-
Конфигурация:Single6975
-
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:600 V
-
Максимальный ток утечки затвор-эмиттер:0.6 uA