- Главная страница ›
- Все товары›
- Дискретные полупроводники ›
- Транзисторы ›
- Кристалл IGBT ›
- APT100GN60B2G
Microchip Technology
APT100GN60B2G
Trans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Просмотреть технический паспорт Спросить технический паспорт АКСЕССУАРЫ Уведомить меня
-
Атрибут товараЗначение атрибута Выбрать атрибут
-
поставщик:Microchip Technology
-
Артикул / №:APT100GN60B2G
-
Единица измерения:За штука
-
RoHS:да
-
HTS:8541290095
-
ECCN:EAR99
-
Стандартная упаковка поставщика:
1 -
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:600 V
-
Тип канала:N6974
-
Максимальная рассеиваемая мощность:625000 mW
-
Размер:16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
-
Максимальный ток утечки затвор-эмиттер:0.6 uA
-
Максимальный постоянный ток коллектора:229 A
-
Серия:APT100GN60B2
-
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:±30 V
-
Конфигурация:Single6975