- Главная страница ›
- Все товары›
- Дискретные полупроводники ›
- Транзисторы ›
- Кристалл IGBT ›
- HGT1S12N60A4DS
Fairchild
HGT1S12N60A4DS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
Просмотреть технический паспорт Спросить технический паспорт АКСЕССУАРЫ Уведомить меня
- >100kHz Operation............390V, 12A
- 200kHz Operation............390V, 9A
- 600V Switching SOA Capability
- Typical Fall Time............70ns at TJ = 125°C
- Low Conduction Loss
- Temperature Compensating SABER Model www.fairchildsemi.com
- Related Literature
- TB334 ?Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards"
-
Атрибут товараЗначение атрибута Выбрать атрибут
-
поставщик:Fairchild
-
Артикул / №:HGT1S12N60A4DS
-
Единица измерения:За штука
-
RoHS:да
-
HTS:8541290095
-
ECCN:EAR99
-
Стандартная упаковка поставщика:
400 -
Конфигурация:Single
-
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:600 V
-
Максимальный постоянный ток коллектора:54 A
-
Размер:10.67(Max) x 9.65(Max) x 4.83(Max) mm
-
Серия:HGT1S12N60A4DS
-
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:±20 V
-
Тип канала:N
-
Этот продукт снят с производства, но все еще есть на складе.