- Home ›
- Alle producten›
- Discrete halfgeleiders ›
- Transistoren ›
- IGBT-module ›
- NXH100B120H3Q0PG
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins
Bekijk gegevensblad Accessoires Meld mij
RoHS-conform
Conformiteitscertificaat
Beschrijving
+
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins
Zoekwoorden: NXH100B120H3Q0PG
SPECIFICATIES
+
-
ProductkenmerkAttribuutwaarde Selecteer kenmerk
-
Leverancier:onsemi
-
Onderdeelnr.:NXH100B120H3Q0PG
-
Meeteenheid:Per Stuk
-
RoHS:Ja
-
HTS:8541290095
-
COO:CZ
-
ECCN:EAR99
-
Standaardverpakking leverancier:
24
Productgidsen
+
Veelgestelde vragen
Is NXH100B120H3Q0PG RoHS-conform?
Ja, NXH100B120H3Q0PG is RoHS-conform.
Wat is de levertijd voor NXH100B120H3Q0PG?
De standaard levertijd voor NXH100B120H3Q0PG is ongeveer 21 weken. Voorraadhoeveelheden worden verzonden vanuit OnlineComponents.com.
Prijsgarantie
We’ll meet or beat any authorized competitor’s published price for this part.
Op voorraad: 0
Fabrieksvoorraad:
24
kan verzenden
MOQ voor niet-voorraadhoeveelheid:
6
21 Weken
kan verzenden
2-8-27
Prijs (USD)
Aantal
Prijs per eenheid
6
$81.98
12
$61.48
18
$57.38
24 +
$56.24
Klik voor offerte
Inloggen
om speciale prijzen te ontgrendelen