- Home ›
- Alle producten›
- Discrete halfgeleiders ›
- Transistoren ›
- IGBT-module ›
- NXH100B120H3Q0PG
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins
Bekijk gegevensblad Stel een vraag aan het gegevensblad Accessoires Meld mij
-
ProductkenmerkAttribuutwaarde Selecteer kenmerk
-
Leverancier:onsemi
-
Onderdeelnr.:NXH100B120H3Q0PG
-
Meeteenheid:Per Stuk
-
RoHS:Ja
-
HTS:8541290095
-
COO:CZ
-
ECCN:EAR99
-
Standaardverpakking van de leverancier:
24