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Samsung Semiconductor

IRF820

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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유해물질 제한지침(RoHS) 미준수
단종
Tube 포장
적합성 인증서
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
검색 키워드: IRF820
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  • 공급자:
    Samsung Semiconductor
  • 부품 번호:
    IRF820
  • 측정 단위:
    당 개
  • RoHS:
    아니오
  • ECCN:
    EAR99
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    50
  • 최대 드레인-소스 저항:
    3000@10V mOhm
  • 채널 모드:
    Enhancement
  • 치수:
    10.1(Max) x 4.7(Max) x 9.4(Max) mm
  • 최대 연속 드레인 전류:
    2.5 A
  • 패밀리:
    IRF820
  • 채널 유형:
    N
회로도 심볼, 풋프린트 및 3D 모델
도구/3D 모델 +
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