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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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| 제품 속성 | 속성 값 속성 선택 |
|---|---|
| 공급자: | onsemi |
| 부품 번호: | MJD112-1G |
| 측정 단위: | 당 개 |
| RoHS: | 아니오 |
| HTS: | 8541290095 |
| COO: | MY |
| ECCN: | EAR99 |
공급업체 표준 포장: 
|
75 |
| 치수: | 6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm |
| 패밀리: | MJD112 |
| 최대 컬렉터-이미터 전압: | 100 V |
| 최대 베이스-에미터 포화 전압: | 4@40mA@4A V |
| 최대 컬렉터-베이스 전압: | 100 V |
| 최대 컬렉터-에미터 포화 전압: | 2@8mA@2A,3@40mA@4A V |
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