GeneSiC は、3300Vおよび1700V、1000mΩのSiC MOSFETを発売しました。「エネルギー貯蔵、再生可能エネルギー、産業用モーター、汎用インバーター、産業用照明分野の電源システムを強化・簡素化します」と Electronics Weeklyが報じています。

GeneSiC Semiconductor は、G2R1000MT17J、G2R1000MT17D、G2R1000MT33Jを直ちに供給できると発表しました。SMDおよびスルーホールのディスクリートパッケージで、1000mΩと450mΩのオプションを用意しています。

発売された製品は以下の通りです。 

• G2R1000MT33J – 3300V 1000mΩ TO-263-7 G2R™ SiC MOSFET 

• G2R1000MT17D – 1700V 1000mΩ TO-247-3 G2R™ SiC MOSFET 

• G2R1000MT17J – 1700V 1000mΩ TO-263-7 G2R™ SiC MOSFET 

• G3R450MT17J – 1700V 450mΩ TO-263-7 G3R™ SiC MOSFET 

• G3R450MT17D– 1700V 450mΩ TO-247-3 G3R™ SiC MOSFET.

GeneSiCの3300Vおよび1700VのSiC MOSFETは、高い効率水準と超高速のスイッチング速度を必要とする電源システム設計向けに最適化されています。