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IRF820
Samsung Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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RoHS非遵守
Discontinued
Tube 包装
説明
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Search Keywords: IRF820
仕様
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Product AttributeAttribute Value Select Attribute
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サプライヤー:Samsung Semiconductor
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部品番号:IRF820
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測定単位:Per Each
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RoHS:No
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ECCN:EAR99
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サプライヤー標準パック:
50 -
Maximum Drain Source Resistance:3000@10V mOhm
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Channel Mode:Enhancement
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Dimension:10.1(Max) x 4.7(Max) x 9.4(Max) mm
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Maximum Continuous Drain Current:2.5 A
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Family:IRF820
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Channel Type:N
Tools/3D Models
+
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EE ツールボックス
リソース
+
データシート
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