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- MJD127T4G
説明
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8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Search Keywords: MJD127T4G
仕様
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Product AttributeAttribute Value Select Attribute
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サプライヤー:onsemi
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部品番号:MJD127T4G
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測定単位:Per Each
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RoHS:No
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HTS:8541290095
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COO:MY
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ECCN:EAR99
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サプライヤー標準パック:
2500 -
Maximum Collector Emitter Voltage:100 V
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Maximum Collector Base Voltage:100 V
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Family:MJD127
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Maximum Base Emitter Saturation Voltage:4.5@80mA@8A V
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Dimension:6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm
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Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:2@16mA@4A,4@80mA@8A V
リソース
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7,500
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