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APT35GN120SG
Microchip Technology
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
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RoHS遵守
TUBE 包装
説明
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Search Keywords: APT35GN120SG
仕様
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-
Product AttributeAttribute Value Select Attribute
-
サプライヤー:Microchip Technology
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部品番号:APT35GN120SG
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測定単位:Per Each
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RoHS:Yes
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HTS:8541290095
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ECCN:EAR99
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サプライヤー標準パック:
1 -
Configuration:Single6975
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Maximum Gate Emitter Voltage:±30 V
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Maximum Power Dissipation:379000 mW
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Family:APT35GN120S
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Channel Type:N6974
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Dimension:16.056976mm(Max) x 13.99(Max) x 5.08(Max)mm
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Maximum Collector-Emitter Voltage:1200 V
-
Maximum Continuous Collector Current:94 A
-
Maximum Gate Emitter Leakage Current:0.6 uA
Tools/3D Models
+
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EE ツールボックス
リソース
+
データシート
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