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IRFR220 by samsung semiconductor
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Samsung Semiconductor

IRFR220

Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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Fuori produzione
Imballaggio
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Descrizione +
Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Parole chiave di ricerca: IRFR220
Specifiche +
  • Attributo prodotto
    Valore attributo Seleziona attributo
  • fornitore:
    Samsung Semiconductor
  • Codice componente:
    IRFR220
  • Unità di misura:
    per pezzo
  • RoHS :
    No
  • ECCN:
    EAR99
  • Confezione standard del fornitore: Queste informazioni sono fornite ai clienti che preferiscono acquistare in multipli della quantità della confezione standard del produttore. Le quantità minime d
    2500
  • Resistenza drain-source massima:
    800@10V mOhm
  • Corrente di drain continua massima:
    4.6 A
  • Dimensione:
    6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.39(Max) mm
  • Famiglia:
    IRFR220
  • Tipo di canale:
    N
  • Modalità canale:
    Enhancement
Simbolo, impronta e modello 3D
Strumenti/Modelli 3D +
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