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Samsung Semiconductor
IRF820
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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| Attributo prodotto | Valore attributo Seleziona attributo |
|---|---|
| fornitore: | Samsung Semiconductor |
| Codice componente: | IRF820 |
| Unità di misura: | per pezzo |
| RoHS : | No |
| HTS: | 8541290055 |
| ECCN: | EAR99 |
Confezione standard del fornitore: 
|
50 |
| Resistenza drain-source massima: | 3000@10V mOhm |
| Modalità canale: | Enhancement |
| Dimensione: | 10.1(Max) x 4.7(Max) x 9.4(Max) mm |
| Corrente di drain continua massima: | 2.5 A |
| Famiglia: | IRF820 |
| Tipo di canale: | N |
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
Scheda tecnica
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