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IRF820 by samsung semiconductor
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Samsung Semiconductor

IRF820

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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Non-Compliant
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Tube Imballaggio
Certificato di conformità
Descrizione +
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Parole chiave di ricerca: IRF820
Specifiche +
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  • fornitore:
    Samsung Semiconductor
  • Codice componente:
    IRF820
  • Unità di misura:
    per pezzo
  • RoHS :
    No
  • ECCN:
    EAR99
  • Confezione standard del fornitore: Queste informazioni sono fornite ai clienti che preferiscono acquistare in multipli della quantità della confezione standard del produttore. Le quantità minime d
    50
  • Resistenza drain-source massima:
    3000@10V mOhm
  • Modalità canale:
    Enhancement
  • Dimensione:
    10.1(Max) x 4.7(Max) x 9.4(Max) mm
  • Corrente di drain continua massima:
    2.5 A
  • Famiglia:
    IRF820
  • Tipo di canale:
    N
Simbolo, impronta e modello 3D
Strumenti/Modelli 3D +
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