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NVH4L080N120SC1
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 8 ...
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Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 80 m?, TO247?4L
Parole chiave di ricerca: NVH4L080N120SC1
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:onsemi
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Codice componente:NVH4L080N120SC1
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :No
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HTS:8541290095
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COO:KR
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
30
Strumenti/Modelli 3D
+
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
risorse
+
Scheda tecnica
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