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NTGD4167CT1G

A complementary Power MOSFET featuring both an N-Channel and a P-Channel device with a 30V drain-source voltage rating in a du ...

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A complementary Power MOSFET featuring both an N-Channel and a P-Channel device with a 30V drain-source voltage rating in a dual TSOP-6 package.
Parole chiave di ricerca: NTGD4167CT1G
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  • fornitore:
    onsemi
  • Codice componente:
    NTGD4167CT1G
  • Unità di misura:
    per pezzo
  • RoHS :
  • HTS:
    8541290095
  • COO:
    TW
  • ECCN:
    EAR99
  • Confezione standard del fornitore: Queste informazioni sono fornite ai clienti che preferiscono acquistare in multipli della quantità della confezione standard del produttore. Le quantità minime d
    3000
Simbolo, impronta e modello 3D
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Qual è il tempo di consegna di NTGD4167CT1G?
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