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onsemi
NJVMJD112G
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
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Certificato di conformità
Descrizione
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2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Parole chiave di ricerca: NJVMJD112G
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:onsemi
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Codice componente:NJVMJD112G
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :No
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HTS:8541290095
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COO:MY
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
75
risorse
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Domande frequenti
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No, NJVMJD112G non è conforme alla direttiva RoHS.
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