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onsemi
NCV57001FDWR2G
Isolated high current and high efficiency SiC/MOSFET/IGBT gate driver with internal galvanic isolation Isolated High Current I ...
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Conforme RoHS
Certificato di conformità
Descrizione
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Isolated high current and high efficiency SiC/MOSFET/IGBT gate driver with internal galvanic isolation Isolated High Current IGBT Gate Driver
Parole chiave di ricerca: NCV57001FDWR2G
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:onsemi
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Codice componente:NCV57001FDWR2G
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :sì
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HTS:8542390070
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COO:US
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
1000
Strumenti/Modelli 3D
+
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
risorse
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Scheda tecnica
Domande frequenti
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