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MJD50T4G

1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor

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1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
Parole chiave di ricerca: MJD50T4G
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  • fornitore:
    onsemi
  • Codice componente:
    MJD50T4G
  • Unità di misura:
    per pezzo
  • RoHS :
    No
  • HTS:
    8541290095
  • COO:
    MY
  • ECCN:
    EAR99
  • Confezione standard del fornitore: Queste informazioni sono fornite ai clienti che preferiscono acquistare in multipli della quantità della confezione standard del produttore. Le quantità minime d
    2500
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