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MJD50T4G

1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor

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1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
Parole chiave di ricerca: MJD50T4G
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Attributo prodotto Valore attributo Seleziona attributo
fornitore: onsemi
Codice componente: MJD50T4G
Unità di misura: per pezzo
RoHS : No
HTS: 8541290095
COO: MY
ECCN: EAR99
Confezione standard del fornitore: Il numero di articoli, la lunghezza, il peso o il volume contenuti nell’imballaggio originale del fornitore per uno stoccaggio, una movimentazione e una distribuzione efficienti. 2500
Simbolo, impronta e modello 3D
Strumenti/Modelli 3D +
Domande frequenti
MJD50T4G è conforme alla direttiva RoHS?
No, MJD50T4G non è conforme alla direttiva RoHS.
Qual è il tempo di consegna di MJD50T4G?
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