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- MJD127T4G
onsemi
MJD127T4G
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:onsemi
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Codice componente:MJD127T4G
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :No
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HTS:8541290095
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COO:MY
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
2500 -
Tensione massima collettore-emettitore:100 V
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Tensione massima collettore-base:100 V
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Famiglia:MJD127
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Tensione di saturazione base-emettitore massima:4.5@80mA@8A V
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Dimensione:6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm
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Tensione di saturazione collettore-emettitore massima:2@16mA@4A,4@80mA@8A V