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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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Certificato di conformità
Descrizione
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The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
Parole chiave di ricerca: MJD1121G
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:onsemi
-
Codice componente:MJD112-1G
-
Unità di misura:per pezzo
-
RoHS :No
-
HTS:8541290095
-
COO:MY
-
ECCN:EAR99
-
Confezione standard del fornitore:
75 -
Tensione massima collettore-emettitore:100 V
-
Tensione massima collettore-base:100 V
-
Tensione di saturazione base-emettitore massima:4@40mA@4A V
-
Famiglia:MJD112
-
Tensione di saturazione collettore-emettitore massima:2@8mA@2A,3@40mA@4A V
-
Dimensione:6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
risorse
+
Domande frequenti
MJD112-1G è conforme alla direttiva RoHS?
No, MJD112-1G non è conforme alla direttiva RoHS.
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