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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:onsemi
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Codice componente:MJD112-1G
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :No
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HTS:8541290095
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COO:MY
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
75 -
Dimensione:6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
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Famiglia:MJD112
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Tensione massima collettore-emettitore:100 V
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Tensione di saturazione base-emettitore massima:4@40mA@4A V
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Tensione massima collettore-base:100 V
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Tensione di saturazione collettore-emettitore massima:2@8mA@2A,3@40mA@4A V