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MJD112-1G by onsemi
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onsemi Rivenditore autorizzato

MJD112-1G

The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.

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Non-Compliant
TUBE Imballaggio
Certificato di conformità
Descrizione +
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
Parole chiave di ricerca: MJD1121G
Specifiche +
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  • fornitore:
    onsemi
  • Codice componente:
    MJD112-1G
  • Unità di misura:
    per pezzo
  • RoHS :
    No
  • HTS:
    8541290095
  • COO:
    MY
  • ECCN:
    EAR99
  • Confezione standard del fornitore: Queste informazioni sono fornite ai clienti che preferiscono acquistare in multipli della quantità della confezione standard del produttore. Le quantità minime d
    75
  • Dimensione:
    6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
  • Famiglia:
    MJD112
  • Tensione massima collettore-emettitore:
    100 V
  • Tensione di saturazione base-emettitore massima:
    4@40mA@4A V
  • Tensione massima collettore-base:
    100 V
  • Tensione di saturazione collettore-emettitore massima:
    2@8mA@2A,3@40mA@4A V
Simbolo, impronta e modello 3D
Strumenti/Modelli 3D +
Domande frequenti
MJD112-1G è conforme alla direttiva RoHS?
No, MJD112-1G non è conforme alla direttiva RoHS.
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