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FGH60N60SMD

The FGH60N60SMD is a 600V, 60A Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for high-current switching applica ...

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The FGH60N60SMD is a 600V, 60A Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for high-current switching applications.
Parole chiave di ricerca: FGH60N60SMD
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  • fornitore:
    onsemi
  • Codice componente:
    FGH60N60SMD
  • Unità di misura:
    per pezzo
  • RoHS :
    No
  • HTS:
    8541290095
  • COO:
    KR
  • ECCN:
    EAR99
  • Confezione standard del fornitore: Queste informazioni sono fornite ai clienti che preferiscono acquistare in multipli della quantità della confezione standard del produttore. Le quantità minime d
    30
Simbolo, impronta e modello 3D
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Domande frequenti
FGH60N60SMD è conforme alla direttiva RoHS?
No, FGH60N60SMD non è conforme alla direttiva RoHS.
Qual è il tempo di consegna di FGH60N60SMD?
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