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onsemi
FDN357N
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
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Certificato di conformità
Descrizione
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
Parole chiave di ricerca: FDN357N
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:onsemi
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Codice componente:FDN357N
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :sì
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HTS:8541210095
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COO:KR
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
3000
risorse
+
Domande frequenti
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Sì, FDN357N è conforme alla direttiva RoHS.
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