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FDN357N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ

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Conforme RoHS
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Certificato di conformità
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
Parole chiave di ricerca: FDN357N
Specifiche +
Attributo prodotto Valore attributo Seleziona attributo
fornitore: onsemi
Codice componente: FDN357N
Unità di misura: per pezzo
RoHS : sì
HTS: 8541210095
COO: KR
ECCN: EAR99
Confezione standard del fornitore: Il numero di articoli, la lunghezza, il peso o il volume contenuti nell’imballaggio originale del fornitore per uno stoccaggio, una movimentazione e una distribuzione efficienti. 3000
Simbolo, impronta e modello 3D
Strumenti/Modelli 3D +
Domande frequenti
FDN357N è conforme alla direttiva RoHS?
Sì, FDN357N è conforme alla direttiva RoHS.
Qual è il tempo di consegna di FDN357N?
Il tempo di consegna standard per FDN357N è di circa 16 settimane. Le quantità disponibili vengono spedite da OnlineComponents.com.
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