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FDN357N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ

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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
Parole chiave di ricerca: FDN357N
Specifiche +
  • Attributo prodotto
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  • fornitore:
    onsemi
  • Codice componente:
    FDN357N
  • Unità di misura:
    per pezzo
  • RoHS :
    sì
  • HTS:
    8541210095
  • COO:
    KR
  • ECCN:
    EAR99
  • Confezione in bobina: Queste informazioni sono destinate ai clienti che preferiscono acquistare multipli della quantità della confezione standard del produttore. Le quantità minime ordinabili e i multipli richiesti sono indicati insieme alle informazioni su prezzo e disponibilità.
    3000
Simbolo, impronta e modello 3D
Strumenti/Modelli 3D +
Domande frequenti
FDN357N è conforme alla direttiva RoHS?
Sì, FDN357N è conforme alla direttiva RoHS.
Qual è il tempo di consegna di FDN357N?
Il tempo di consegna standard per FDN357N è di circa 16 settimane. Le quantità disponibili vengono spedite da OnlineComponents.com.
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