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2N7000

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 Ω

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 Ω
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    N
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    0.2 A
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    2N7000
  • Modalità canale:
    Enhancement
  • Resistenza drain-source massima:
    5000@10V mOhm
Simbolo, impronta e modello 3D
Strumenti/Modelli 3D +
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