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Microchip Technology
APTGT50DDA120T3G
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
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Conforme RoHS
TUBE Imballaggio
Descrizione
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Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Parole chiave di ricerca: APTGT50DDA120T3G
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:Microchip Technology
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Codice componente:APTGT50DDA120T3G
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :sì
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HTS:8541590080
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
1 -
Famiglia:APTGT50DDA120T3G
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Dissipazione di potenza massima:270000 mW
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Dimensione:73.4 x 40.8 x 11.56996mmmm
-
Corrente di collettore continua massima:75 A
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Tensione gate-emettitore massima:±20 V
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Configurazione:Dual6995
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Tipo di canale:N6994
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Tensione massima collettore-emettitore:1200 V
-
Corrente di dispersione massima gate-emettitore:0.4 uA
Strumenti/Modelli 3D
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
risorse
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Scheda tecnica
Domande frequenti
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Sì, APTGT50DDA120T3G è conforme alla direttiva RoHS.
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