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Microchip Technology
APT35GA90BD15
Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Conforme RoHS
TUBE Imballaggio
Descrizione
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Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Parole chiave di ricerca: APT35GA90BD15
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:Microchip Technology
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Codice componente:APT35GA90BD15
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :sì
-
HTS:8541290095
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ECCN:EAR99
-
Confezione standard del fornitore:
1 -
Famiglia:APT35GA90BD15
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Configurazione:Single6975
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Tensione massima collettore-emettitore:900 V
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Tensione gate-emettitore massima:±30 V
-
Corrente di collettore continua massima:63 A
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Dimensione:16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
-
Dissipazione di potenza massima:290000 mW
-
Tipo di canale:N6974
-
Corrente di dispersione massima gate-emettitore:0.1 uA
Strumenti/Modelli 3D
+
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
risorse
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