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Microchip Technology
APT33GF120LRDQ2G
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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Conforme RoHS
TUBE Imballaggio
Descrizione
+
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Parole chiave di ricerca: APT33GF120LRDQ2G
Specifiche
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-
Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
-
fornitore:Microchip Technology
-
Codice componente:APT33GF120LRDQ2G
-
Unità di misura:per pezzo
-
RoHS :sì
-
HTS:8541290095
-
ECCN:EAR99
-
Confezione standard del fornitore:
1 -
Configurazione:Single6975
-
Famiglia:APT33GF120LRDQ2
-
Tipo di canale:N6974
-
Corrente di dispersione massima gate-emettitore:0.12 uA
-
Tensione gate-emettitore massima:±30 V
-
Tensione massima collettore-emettitore:1200 V
-
Corrente di collettore continua massima:64 A
-
Dissipazione di potenza massima:357000 mW
-
Dimensione:20.56976mm(Max) x 5.21(Max) x 26.49(Max)mm
Strumenti/Modelli 3D
+
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
risorse
+
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