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Microchip Technology
APT15GN120BDQ1G
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 195000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Conforme RoHS
TUBE Imballaggio
Descrizione
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 195000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Parole chiave di ricerca: APT15GN120BDQ1G
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
-
fornitore:Microchip Technology
-
Codice componente:APT15GN120BDQ1G
-
Unità di misura:per pezzo
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RoHS :sì
-
HTS:8541290095
-
ECCN:EAR99
-
Confezione standard del fornitore:
1 -
Corrente di dispersione massima gate-emettitore:0.12 uA
-
Tensione massima collettore-emettitore:1200 V
-
Famiglia:APT15GN120BDQ1
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Tensione gate-emettitore massima:±30 V
-
Dissipazione di potenza massima:195000 mW
-
Dimensione:16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
-
Configurazione:Single6975
-
Tipo di canale:N6974
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Corrente di collettore continua massima:45 A
Strumenti/Modelli 3D
+
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
risorse
+
Scheda tecnica
Domande frequenti
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