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- APT15GN120BDQ1G
Microchip Technology
APT15GN120BDQ1G
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 195000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:Microchip Technology
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Codice componente:APT15GN120BDQ1G
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :sì
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HTS:8541290095
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
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Corrente di dispersione massima gate-emettitore:0.12 uA
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Tensione massima collettore-emettitore:1200 V
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Famiglia:APT15GN120BDQ1
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Tensione gate-emettitore massima:±30 V
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Dissipazione di potenza massima:195000 mW
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Dimensione:16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
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Configurazione:Single6975
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Tipo di canale:N6974
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Corrente di collettore continua massima:45 A