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Microchip Technology
2N7002-G
Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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Conforme RoHS
REEL Imballaggio
Descrizione
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Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Parole chiave di ricerca: 2N7002G
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:Microchip Technology
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Codice componente:2N7002-G
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :sì
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HTS:8542390090
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COO:TH
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ECCN:EAR99
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Confezione in bobina:
3000
risorse
+
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