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NXH008P120M3F1PTG
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Silicon Carbid ...
ACCESSORI Avvisami
Conforme RoHS
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Descrizione
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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Silicon Carbide (SiC) Module ? EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Parole chiave di ricerca: NXH008P120M3F1PTG
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:onsemi
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Codice componente:NXH008P120M3F1PTG
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :sì
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HTS:8542390070
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COO:KR
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
28
Strumenti/Modelli 3D
+
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
Domande frequenti
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Sì, NXH008P120M3F1PTG è conforme alla direttiva RoHS.
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