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onsemi
NXH008P120M3F1PTG
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Silicon Carbid ...
ACCESSORI Avvisami
Conforme RoHS
Certificato di conformità
Descrizione
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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Silicon Carbide (SiC) Module ? EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Parole chiave di ricerca: NXH008P120M3F1PTG
Specifiche
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| Attributo prodotto | Valore attributo Seleziona attributo |
|---|---|
| fornitore: | onsemi |
| Codice componente: | NXH008P120M3F1PTG |
| Unità di misura: | per pezzo |
| RoHS : | sì |
| HTS: | 8542390070 |
| COO: | KR |
| ECCN: | EAR99 |
Confezione standard del fornitore: 
|
28 |
Strumenti/Modelli 3D
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
Domande frequenti
NXH008P120M3F1PTG è conforme alla direttiva RoHS?
Sì, NXH008P120M3F1PTG è conforme alla direttiva RoHS.
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