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NXH004P120M3F2PTNG

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbid ...

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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
Parole chiave di ricerca: NXH004P120M3F2PTNG
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fornitore: onsemi
Codice componente: NXH004P120M3F2PTNG
Unità di misura: per pezzo
RoHS : sì
HTS: 8541290095
COO: KR
ECCN: EAR99
Confezione standard del fornitore: Il numero di articoli, la lunghezza, il peso o il volume contenuti nell’imballaggio originale del fornitore per uno stoccaggio, una movimentazione e una distribuzione efficienti. 20
Simbolo, impronta e modello 3D
Strumenti/Modelli 3D +
Domande frequenti
NXH004P120M3F2PTNG è conforme alla direttiva RoHS?
Sì, NXH004P120M3F2PTNG è conforme alla direttiva RoHS.
Qual è il tempo di consegna di NXH004P120M3F2PTNG?
Il tempo di consegna standard per NXH004P120M3F2PTNG è di circa 10 settimane. Le quantità disponibili vengono spedite da OnlineComponents.com.
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