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NXH004P120M3F2PTNG

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbid ...

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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
Parole chiave di ricerca: NXH004P120M3F2PTNG
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    onsemi
  • Codice componente:
    NXH004P120M3F2PTNG
  • Unità di misura:
    per pezzo
  • RoHS :
    sì
  • HTS:
    8541290095
  • COO:
    KR
  • ECCN:
    EAR99
  • Confezione standard del fornitore: Queste informazioni sono fornite ai clienti che preferiscono acquistare in multipli della quantità della confezione standard del produttore. Le quantità minime d
    20
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NXH004P120M3F2PTNG è conforme alla direttiva RoHS?
Sì, NXH004P120M3F2PTNG è conforme alla direttiva RoHS.
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