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NTBG030N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
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  • fornitore:
    onsemi
  • Codice componente:
    NTBG030N120M3S
  • Unità di misura:
    per pezzo
  • RoHS :
    No
  • HTS:
    8541290095
  • COO:
    KR
  • ECCN:
    EAR99
  • Confezione standard del fornitore: Queste informazioni sono fornite ai clienti che preferiscono acquistare in multipli della quantità della confezione standard del produttore. Le quantità minime d
    800
Simbolo, impronta e modello 3D
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