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onsemi
MJD127T4G
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
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Non-Compliant
Certificato di conformità
Descrizione
+
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Parole chiave di ricerca: MJD127T4G
Specifiche
+
-
Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
-
fornitore:onsemi
-
Codice componente:MJD127T4G
-
Unità di misura:per pezzo
-
RoHS :No
-
HTS:8541290095
-
COO:MY
-
ECCN:EAR99
-
Confezione standard del fornitore:
2500 -
Tensione massima collettore-emettitore:100 V
-
Tensione massima collettore-base:100 V
-
Famiglia:MJD127
-
Tensione di saturazione base-emettitore massima:4.5@80mA@8A V
-
Dimensione:6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm
-
Tensione di saturazione collettore-emettitore massima:2@16mA@4A,4@80mA@8A V
Strumenti/Modelli 3D
+
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
risorse
+
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