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onsemi
MJD112G
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
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Certificato di conformità
Descrizione
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2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Parole chiave di ricerca: MJD112G
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:onsemi
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Codice componente:MJD112G
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :No
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HTS:8541290095
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COO:MY
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
75
Strumenti/Modelli 3D
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
risorse
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